| 摘要 |
本発明は、セラミック回路基板３０をはんだ等の接合層５を介してヒートシンク１０ａに接合する際に発生する反りを矯正する際に接合層５に加わる歪集中を緩和でき、信頼性保証期間が長くなるパワー半導体モジュールを得ることを目的とする。本発明に係る半導体モジュール１００においては、ヒートシンク１０ａは、凸平面１５が接合層５との接合面積よりも小さい面積を有する凸状部１１と、凸状部１１の端部に設けられ、対応する部分のヒートシンク１０ａの厚さが凸状部１１に対応する部分のヒートシンク１０ａの厚さよりも薄い第１の段差部１２と、第１の段差部１２の端部に設けられ、対応する部分のヒートシンク１０ａの厚さが第１の段差部１２に対応する部分よりもさらに薄い第２の段差部１３とを有し、接合層が、ヒートシンクの凸状部１１及び第１の段差部１２とで接合する。 |
