半導体発光素子及びフォトニック結晶周期構造のパラメータ計算方法

摘要

設計波長をλとする半導体発光素子を構成する各層間の一以上の界面に、異なる屈折率を持つ２つの構造体からなるフォトニック結晶周期構造を有する半導体発光素子であって、前記設計波長λと前記一以上の各周期構造のパラメータである周期ａ及び半径Ｒは、ブラッグ条件を満たし、前記周期ａと半径Ｒの比（Ｒ／ａ）は、ＴＥ光の所定のフォトニックバンドギャップ（ＰＢＧ）が該周期構造ごとに最大となるように決定された値であり、各周期構造パラメータは、前記ブラッグ条件の次数ｍに応じて決定する周期ａ及び半径Ｒ、並びに、０．５ａ以上の該周期構造の深さｈを変数として行うＦＤＴＤ法を用いたシミュレーションの解析結果により、前記波長λに対する半導体発光素子全体の光取出し効率が最大となるように決定されたパラメータである、ことを特徴とする半導体発光素子。