| 摘要 |
非晶質状態においては、エッチング性に優れ、かつ、結晶質状態では、低いキャリア濃度および高いキャリア移動度を有し、薄膜トランジスタのチャネル層材料として好適な、ビックスバイト型構造のＩｎ２Ｏ３相のみからなる結晶質の酸化物半導体薄膜を提供する。インジウム、ガリウム、酸素および不可避不純物からなり、前記ガリウムの含有量が、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．０９〜０．４５の範囲にあり、ビックスバイト型構造のＩｎ２Ｏ３相を主たる結晶相とし、その中に、β−Ｇａ２Ｏ３型構造のＧａＩｎＯ３相、または、β−Ｇａ２Ｏ３型構造のＧａＩｎＯ３相および（Ｇａ，Ｉｎ）２Ｏ３相が微細に分散している酸化物焼結体をターゲットとして、非晶質の酸化物薄膜を成膜し、この非晶質の酸化物薄膜を、フォトリソグラフィ技術を利用してエッチングすることで微細加工し、アニール処理する。 |
