发明名称 半導体装置の製造方法および半導体装置
摘要 【課題】半導体装置のテストにおいて半田接合不良を抑えてテストの信頼性を高める。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1キャップ膜2rを備えた第1パッド電極2aaと、第2キャップ膜2tを備えた第2パッド電極2abとを有する半導体ウエハ1を準備し、さらに第1パッド電極2aa上に第1開口と、第2パッド電極2ab上に第2開口とを有するポリイミド層2dを形成した後、第2開口を介して第2パッド電極2abに接続する再配置配線2eを形成する。次に、第1パッド電極2aaおよび再配置配線2eのバンプランド2acに有機反応層2ka,2kbが残るようにポリイミド層2fに開口を形成し、半導体ウエハ1に熱処理を施した後、再配置配線2e上にバンプを形成する。【選択図】図10
申请公布号 JP2017045900(A) 申请公布日期 2017.03.02
申请号 JP20150168248 申请日期 2015.08.27
申请人 ルネサスエレクトロニクス株式会社 发明人 矢島 明
分类号 H01L23/12 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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