| 摘要 |
【課題】高いゲッタリング能力を有し、かつ、活性層の深さ方向の抵抗変動が少ないＳＯＩウェーハを高い生産性で得ることが可能な、ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】本発明のＳＯＩウェーハの製造方法は、活性層用基板および支持基板の少なくとも一方の表面に軽元素イオンを注入して、前記少なくとも一方のウェーハに前記軽元素イオンが固溶した改質層を形成する第１工程と、イオン化堆積法により、活性層用基板および支持基板の少なくとも一方の表面に酸化膜を形成する第２工程と、真空常温接合法により、活性層用基板と支持基板とを貼り合わせる第３工程と、活性層用基板を薄膜化して活性層を得る第４工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図１ |
