发明名称 |
ヘテロ接合グラフェンナノリボン、共鳴トンネルダイオード及びその製造方法 |
摘要 |
【課題】ヘテロ接合グラフェンナノリボン、共鳴トンネルダイオード及びその製造方法に関し、各領域長さが制御されたグラフェンナノリボンヘテロ構造を安定的に製造する方法の提供。【解決手段】基板1上に設けられ長手方向に沿ったエッジ構造がアームチェア型で互いに短手方向の幅が異なっている第1のグラフェンナノリボン要素3乃至第3のグラフェンナノリボン要素5を、第1のグラフェンナノリボン要素3の両端と第2のグラフェンナノリボン要素4を長手方向において共有結合させ、第2のグラフェンナノリボン要素4の一端と第3のグラフェンナノリボン要素5とを長手方向において共有結合させるヘテロ接合グラフェンナノリボン。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017043495(A) |
申请公布日期 |
2017.03.02 |
申请号 |
JP20150164406 |
申请日期 |
2015.08.24 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
山口 淳一 |
分类号 |
C01B32/15;B82Y10/00;C01B32/18;C01B32/182;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/88;H01L51/00;H01L51/30;H01L51/40 |
主分类号 |
C01B32/15 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|