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Halbleiterbauelement, umfassend: ein Werkstück (202); ein über dem Werkstück (202) angeordnetes isolierendes Material (204), wobei das isolierende Material (204) eine erste obere Oberfläche (205) und mindestens einen darin ausgebildeten Graben (212) aufweist, wobei sich der mindestens eine Graben (212) unter der ersten oberen Oberfläche (205) des isolierenden Materials (204) erstreckt und Seitenwände (213) umfasst, wobei der mindestens eine Graben (212) eine zweite am Boden des mindestens einen Grabens (212) angeordnete obere Oberfläche (207) aufweist; ein über mindestens der zweiten oberen Oberfläche (207) angeordnetes erstes Barrierematerial (220, 222) und ein über den Seitenwänden (213) angeordnetes zweites Barrierematerial (220 bis 224), wobei das zweite Barrierematerial (220 bis 224) ein anderes Material als das erste Barrierematerial (220, 222) umfasst, wobei das erste Barrierematerial (220, 222) eine erste Schicht (220) aus TaN in einer hexagonalen Phase und eine über der ersten Schicht (220) aus TaN in einer hexagonalen Phase angeordnete zweite Schicht (222) aus Ta in einer Alpha-Phase umfasst und wobei das zweite Barrierematerial (220 bis 224) die erste Schicht (220) aus TaN in einer hexagonalen Phase und die über der ersten Schicht (220) aus TaN in einer hexagonalen Phase angeordnete zweite Schicht (222) aus Ta in einer Alpha-Phase umfasst und wobei das zweite Barrierematerial (220 bis 224) weiterhin ein über der zweiten Schicht (222) aus Ta in einer Alpha-Phase angeordnetes drittes Barrierematerial (224) umfasst, wobei das dritte Barrierematerial (224) TiN, TiSiN, TiZr, TiZrN, Ru, WN, CoWP, CoWB, NiMoP oder WCN umfasst. |
