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发明名称
半導体装置及びその製造方法
摘要
半導体装置は、半導体基板の主面上に順次形成され、機能素子と、配線層と、接合電極を含む接続層とを有する第1積層体と、半導体基板の主面上に順次形成され、機能素子と、配線層と、接合電極を含む接続層とを有する第2積層体とを備えている。第1積層体と第2積層体とは、接合電極と接合電極とが互いに対向して直接接合することにより接合されており、第1積層体と第2積層体との接合界面の一部には、空間部が形成されている。
申请公布号
JPWO2015040784(A1)
申请公布日期
2017.03.02
申请号
JP20150537541
申请日期
2014.08.18
申请人
パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人
樋口 裕一;新井 秀幸
分类号
H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
主分类号
H01L25/065
代理机构
代理人
主权项
地址
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