发明名称 |
レジストパターン形成方法及びリソグラフィー用現像液 |
摘要 |
【課題】レジストパターン形成方法及びリソグラフィー用現像液の提供。【解決手段】支持体上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程1、前記レジスト膜を露光する工程2、前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程3を有し、前記工程3における現像を、(A)下記一般式(1)で表される塩基性化合物と、(B)水酸化テトラブチルアンモニウムと、を含み、前記(B)の濃度が2.5質量%以上、2.8質量%未満である現像液を用いて行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。[一般式(1)中、R1〜R4は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。R1〜R4で表されるそれぞれのアルキル基に含まれる炭素原子の数の和は4〜15である。][化1]【選択図】なし |
申请公布号 |
JP2017044865(A) |
申请公布日期 |
2017.03.02 |
申请号 |
JP20150167116 |
申请日期 |
2015.08.26 |
申请人 |
東京応化工業株式会社 |
发明人 |
佐藤 和史;萩原 三雄;熊谷 智弥;矢萩 真人;鈴木 健太;森 貴敬;渡部 良司 |
分类号 |
G03F7/32;G03F7/20;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/32 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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