トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子

摘要

トンネル電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）は、ｐ型を呈するIV族半導体基板の（１１１）面上に、III−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤが配置され、ソース、ドレイン、およびゲートの各電極が適宜に配置され、または、ｎ型を呈するIV族半導体基板の（１１１）面上に、III−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤが配置され、ソース、ドレイン、およびゲートの各電極が適宜に配置され、構成されている。当該ナノワイヤは、第１の領域と第２の領域とによって構成されている。たとえば、第１の領域はｐ型ドーパントで断続的にドープされ、第２の領域はｎ型ドーパントでドープされている。