| 摘要 |
反応炉内に、珪素を含むガス、炭素を含むガスおよび塩素を含むガスを同時に導入する（ステップＳ５）。次に、ステップＳ５で導入した複数のガスからなる混合ガス雰囲気中においてハライドＣＶＤ法により４Ｈ−ＳｉＣ基板の表面にＳｉＣエピタキシャル膜を成長させる（ステップＳ６）。ステップＳ６においては、まず、第１成長速度で２μｍの厚さのＳｉＣエピタキシャル膜を成長させる。第１成長速度は、３μｍ／ｈの初期成長速度から７５μｍ／ｈの高成長速度になるまで連続的に一定の割合で増加させる。さらに、ＳｉＣエピタキシャル膜の厚さが製品として必要な所定厚さになるまで、７５μｍ／ｈ以上の第２成長速度でＳｉＣエピタキシャル膜を成長させる。このようにすることで、ハロゲン化合物を含むガス雰囲気において成長させた炭化珪素半導体膜の結晶性を向上させることができる。 |
