| 摘要 |
本願では、カソード端子（Ｋ１）とアノード端子（Ａ１）とを備え、カソード端子（Ｋ１）とアノード端子（Ａ１）との間に、統合された逆ダイオード（Ｄ６）を有する少なくとも一つのＭＯＳＦＥＴトランジスタ（Ｔ１）を備えた電子回路（２）が設けられている整流回路が記載されており、アバランシェモードで動作するＭＯＳＦＥＴトランジスタ（Ｔ１）のドレイン−ソース間降伏電圧が整流回路（１）のカソード端子（Ｋ１）とアノード端子（Ａ１）との間のクランプ電圧に対応する。さらに、カソード端子（Ｋ１）とアノード端子（Ａ１）とを備え、カソード端子（Ｋ１）とアノード端子（Ａ１）との間に、統合された逆ダイオード（６）を有する少なくとも一つのＭＯＳＦＥＴトランジスタ（Ｔ１）が設けられている整流回路の動作方法が提案され、ＭＯＳＦＥＴトランジスタ（Ｔ１）のドレイン−ソース間降伏電圧がカソード端子（Ｋ２）とアノード端子（Ａ２）との間のクランプ電圧に対応させて選択され、ＭＯＳＦＥＴトランジスタ（Ｔ１）はアバランシェモードで動作させられる。 |
