強誘電体デバイス及びその製造方法

摘要

強誘電体デバイスの特徴である不揮発記憶保持と多数回書換え耐性を持ちながら、従来のストロンチウムとビスマスとタンタルの酸化物Ｓｒ-Ｂｉ-Ｔａ-Ｏを主成分とする強誘電体を用いた強誘電体デバイスよりもメモリウィンドウが広くかつ微細化に適応した強誘電体デバイスおよびその製造方法を提供する。半導体上に直接あるいは絶縁体を介して、好適な成膜原料を用いた有機金属気相成長法で成膜したストロンチウムとカルシウムとビスマスとタンタルの酸化物Ｓｒ-Ｃａ-Ｂｉ-Ｔａ-Ｏを主成分とする第１の強誘電体と導体とを積層し、エッチング加工したゲートスタックの側面に第２の強誘電体と絶縁体を成膜した後で第１の強誘電性を発現させるための熱処理をする。