发明名称 パワー半導体モジュールの製造方法及びパワー半導体モジュール
摘要 【課題】低背化及び小型化を図る。【解決手段】複数の外部導出端子と共に複数の制御信号系端子を第1金型のキャビティ内に非接触状態で配置して型閉する際に、水平方向に延びる第1位置決め用ピンによって各制御信号系端子の鉛直方向位置を位置決めし、且つ鉛直方向に延びる第2位置決め用ピンによって各制御信号系端子の水平方向位置を位置決めする端子位置決め工程と、キャビティ内に樹脂を射出して、各外部導出端子及び制御信号系端子をモールド固定した後に、第1及び第2位置決め用ピンを抜去して一次成形体を形成する工程と、ベース基板に複数のパワー半導体素子及び一次成形体を搭載してモジュール本体部を作製する工程と、モジュール本体部を第2金型のキャビティ内に配置して樹脂を射出し、モジュール本体部の各外部導出端子及び制御信号系端子の一部が露出するようにモールド封止した二次成形体を形成する工程とを備える。【選択図】図1
申请公布号 JP2017045771(A) 申请公布日期 2017.03.02
申请号 JP20150165092 申请日期 2015.08.24
申请人 京セラ株式会社 发明人 福田 永吾;金田 一茂
分类号 H01L25/07;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/18 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
主权项
地址