发明名称 撮像装置およびその製造方法
摘要 【課題】水素拡散防止膜のような新たな層を形成することなく、オプティカルブラック画素における暗電流のレベルを低減できる撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】有効画素領域EPRに配置されたフォトダイオードPD上の絶縁層SL2と、OB画素領域OBRに配置されたフォトダイオードPD上の絶縁層SL2との双方が、窒化シリコンを含み、同一の層から構成され、かつ互いに接続されている。【選択図】図5
申请公布号 JP2017045838(A) 申请公布日期 2017.03.02
申请号 JP20150166804 申请日期 2015.08.26
申请人 ルネサスエレクトロニクス株式会社 发明人 後藤 洋太郎
分类号 H01L27/14;H01L27/146 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人
主权项
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