| 摘要 |
【課題】利得を保ちつつ、出力電力を増大可能な高周波半導体装置を提供する。【解決手段】高周波半導体装置１０は、化合物半導体からなる積層体６０と、ゲート電極２０と、ソース電極４０と、ドレイン電極３０と、を有する。ゲート電極４０は、積層体の表面にジグザグ状に延設された屈曲ゲート部２１と、第１の直線に沿って屈曲ゲート部の表面に延設された直線ゲート部２２と、を有する。ソース電極４０は、屈曲ゲート部２１から離間し積層体の表面に延設された屈曲ソース部４１と、第１の直線に平行に屈曲ソース部４１の表面に延設された直線ソース部４２と、を有する。ドレイン電極３０は、屈曲ゲート部２１から離間し積層体の表面に延設された屈曲ドレイン部３１と、第１の直線に沿って屈曲ドレイン部３１の表面に延設された直線ドレイン部３２と、を有する。【選択図】図１ |
