发明名称 |
レジストパターン形成方法及び保護膜形成用組成物 |
摘要 |
【課題】ナノエッジラフネスを改善することができ、感度も十分満足すると共に、アウトガスの発生も抑制可能な新規のレジストパターン形成方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、感放射線性樹脂組成物でレジスト膜を形成する工程、保護膜形成用組成物で上記レジスト膜上に保護膜を積層する工程、上記保護膜が積層されたレジスト膜を露光する工程、及び上記露光されたレジスト膜を現像する工程を有し、上記保護膜形成用組成物が、[A]下記式(i−2)で表される構造単位を有する重合体、及び[B]有機溶媒を含有するレジストパターン形成方法である。【選択図】なし |
申请公布号 |
JP2017045065(A) |
申请公布日期 |
2017.03.02 |
申请号 |
JP20160220687 |
申请日期 |
2016.11.11 |
申请人 |
JSR株式会社 |
发明人 |
西野 晃太;川上 峰規;白谷 宗大;星子 賢二;犬飼 晃司 |
分类号 |
G03F7/11;C08F22/40;G03F7/039;G03F7/20;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/11 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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