发明名称 光電変換素子の製造方法
摘要 【課題】撮像装置の光電変換層に用いられる層に結晶性を有するセレンを用いる場合において、セレンの結晶形成を制御し、画素毎に均一な結晶粒を有する結晶セレン膜を得ることにより画素毎の撮像性能のばらつきを防ぐ。【解決手段】第1の電極上の少なくとも一部に結晶性セレンを有する第1の膜を設ける工程と、非晶質セレンを有する第2の膜を、第1の膜に接して設ける工程と、第2の膜を加熱して、非晶質セレンを結晶化する工程と、第2の膜上に第2の電極を設ける工程と、を有する光電変換素子の製造方法である。なお、第2の膜は、光電変換層としての機能を有していてもよい。また、第1の膜は、種結晶としての機能を有し、第2の膜の前記結晶化は、第2の膜の第1の膜と接する部分から進行してもよい。【選択図】図1
申请公布号 JP2017045933(A) 申请公布日期 2017.03.02
申请号 JP20150169073 申请日期 2015.08.28
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 山崎 舜平;堅石 李甫;栗城 和貴
分类号 H01L27/146;H01L31/0248 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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