| 摘要 |
【課題】電気接触子のメッキ厚の増大を抑えつつ、下地層が露出するまでの使用回数を増加させる。【解決手段】ＩＣパッケージが収容されるソケット本体にはコンタクトピン３２が設けられ、収容されたＩＣパッケージの接続端子と電気的に接触する。コンタクトピン３２は、導電性を有する基材６２の表面に複数層が積層され、基材６２上にＮｉメッキ層として形成された下地層６４と、下地層６４上にＰｄ−Ｎｉ合金メッキ層として形成された第１表層６８と、第１表層６８上にＮｉメッキ層として形成された第２表層７０と、第２表層７０上に電気接点層であるＡｕメッキ層として形成された最表層７２と、を有している。第２表層７０であるＮｉメッキ層において接続端子のＳｎが拡散する速度は、従来のＡｇメッキ層におけるものよりも大幅に遅くなるので、第２表層７０のメッキ厚を増大させることなく、第１表層６８へのＳｎの拡散を遅延させることができる。【選択図】図７ |
