| 摘要 |
本発明は、高熱伝達であり、かつ、工作性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。本発明は、絶縁基板１３と、絶縁基板上に設けられた半導体チップ１１と、絶縁基板裏面に、接合材２３を介して接合された冷却部材１２とを備える。絶縁基板は、絶縁板（６）と、絶縁板両面に設けられた導板５および導板７とを備える。冷却部材は、アルミニウムで構成される熱応力吸収部材１と熱伝導金属部材２とが一体となった複合部材である。熱応力吸収部材は、絶縁基板裏面と接合する側に配置され、熱応力吸収部材の降伏応力が、接合材の降伏応力より小さい。 |
