| 摘要 |
【課題】データの信頼性を向上することが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置１は、選択トランジスタＳＴ１の一端に接続されたビット線ＢＬと、選択トランジスタＳＴ２の一端に接続されたソース線ＣＥＬＳＲＣと、ウェルに接続されたウェル線ＣＰＷＥＬＬと、選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２、及びメモリセルトランジスタＭＴのゲートにそれぞれ接続された選択線ＳＧＤ、ＳＧＳ、及びワード線ＷＬと、選択トランジスタＳＴ１の書き込み動作を行う制御回路１４とを備え、前記書き込み動作において、選択線ＳＧＤにＶｐｇｍが印加される前に前記ビット線のプリチャージ動作が行われ、プリチャージ動作において、ワード線ＷＬ及び選択線ＳＧＳにＶｕｓｅｌが印加され、ソース線ＣＥＬＳＲＣ及びウェル線ＣＰＷＥＬＬにＶｕｓｅｌより高いＶｂｌｈが印加され前記第１選択線にＶｂｌｈより低いＶｇが印加される。【選択図】図１１ |
