VERFAHREN ZUM STRUKTURIEREN INTEGRIERTER SCHALTUNGEN

摘要

Ein Verfahren zum Strukturieren einer Trägerschicht umfasst Formen einer Hartmaskenschicht über der Trägerschicht; Bilden einer ersten Materialschicht über der Hartmaskenschicht; und Bilden eines Grabens in der ersten Materialschicht. Das Verfahren umfasst ferner ein Behandeln der Hartmaskenschicht mit einem Ionenstrahl durch den Graben. Eine Ätzrate eines behandelten Abschnitts der Hartmaskenschicht verringert sich bezüglich eines Ätzprozesses, während eine Ätzrate von unbehandelten Abschnitten der Hartmaskenschicht bezüglich des Ätzprozesses im Wesentlichen unverändert bleibt. Nach der Behandlung der Hartmaskenschicht umfasst das Verfahren ferner ein Entfernen der ersten Materialschicht und ein Entfernen der unbehandelten Abschnitte der Hartmaskenschicht mit dem Ätzprozess, wodurch eine Hartmaske über der Trägerschicht gebildet wird. Das Verfahren umfasst ferner ein Ätzen der Trägerschicht mit der Hartmaske als Ätzmaske.