| 摘要 |
デバイス動作時の閾値電圧のばらつきを低減する。ＭＯＳトランジスタのチャネル領域４１に対向して配置された絶縁体層を、シリコン窒化膜８３とシリコン酸化膜８３との積層構造と、ＭＯＳトランジスタのソース領域４３への入力信号を反転させた信号をチャネル領域４１に入力する反転信号入力部とを有し、反転信号入力部は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極８１に隣接してゲート電極８１のチャネル領域４１の延長上に形成された別のゲート電極８２と、ＭＯＳトランジスタのソース領域４３に入力する入力信号を、入力信号の入力値に応じて反転させるＣＭＯＳ回路８０とを有して、ＣＭＯＳ回路８０で反転させた信号を別のゲート電極８２に入力する。【選択図】図４ |
