半導体装置

摘要

縦型トランジスタであるSurrounding Gate Transistor（ＳＧＴ）を用いて、ＣＭＯＳＮＡＮＤ回路を構成する半導体装置を小さい面積で提供することが課題である。ｍ行ｎ列に配置された複数のＭＯＳトランジスタを用いて構成されたＮＡＮＤ回路において、前記ＮＡＮＤ回路を構成するＭＯＳトランジスタは、基板上に形成された平面状シリコン層上に形成され、ドレイン、ゲート、ソースが垂直方向に配置され、ゲートがシリコン柱を取り囲む構造を有し、前記平面状シリコン層は第１の導電型を持つ第１の活性化領域と第２の導電型を持つ第２の活性化領域からなり、それらが平面状シリコン層表面に形成されたシリコン層を通して互いに接続されることにより小さい面積のＮＡＮＤ回路を構成する半導体装置を提供する。