光電変換装置

摘要

光電変換装置は、電極層と、電極層上に配置された、ＩｎおよびＧａの少なくとも一方、Ｃｕ、ＳならびにＳｅを含む結晶粒が複数個結合してなる第１の半導体層と、第１の半導体層上に接合された、ＣｄＳまたはＩｎ２Ｓ３を含む第２の半導体層とを備えており、第１の半導体層は、結晶粒のうち第２の半導体層に接合している第１結晶粒において、ＳおよびＳｅの合計濃度に対するＳの濃度の比率が中心部よりも表面部で低くなっている。