| 摘要 |
【課題】 パンチスルー抑制構成を備えた先端トランジスタを提供する。【解決手段】 パンチスルー抑制構成を備えた先端トランジスタは、長さＬｇを有するゲートと、第１濃度のドーパントを有するようにドープされたウェルと、ゲートの下方に位置し且つ第２濃度のドーパントを有するスクリーン領域とを含む。第２濃度のドーパントは５×１０１８ドーパント原子／ｃｍ３より高いとし得る。少なくとも１つのパンチスルー抑制領域が、ゲートの下方且つスクリーン領域とウェルとの間に配設される。パンチスルー抑制領域は、第１濃度と第２濃度との間の第３濃度のドーパントを有する。トランジスタの閾値電圧を調整するために、ウェル領域にバイアス電圧が印加され得る。【選択図】 図１ |
