メモリセル及び記憶装置

摘要

メモリセル（１０１）は、ワードライン（ＷＬ）とビットライン（ＢＬ）と電力供給ライン（ＰＬ）とに接続され、磁気トンネル接合素子（１１，２１）の抵抗値の変化によりデータを記憶するフリップフロップと、電力供給ラインに電流路の一端であるドレインが接続され、電流路の他端がフリップフロップに接続され、制御端子に印加される制御信号により、オン・オフが制御されるパワーゲーティング用電解効果トランジスタ（３１）とを備える。