| 摘要 |
半導体スイッチ回路（１）は、高電圧ノード（ＮＨ）および低電圧ノード（ＮＬ）間に直列接続された複数のスイッチングユニット（２ｄ〜２ａ）と、それぞれ複数のスイッチングユニット（２ｄ〜２ａ）に対応して設けられた複数のダイオード（１１ｄ〜１１ａ）とを備える。複数のダイオード（１１ｄ〜１１ａ）のカソードはそれぞれ複数のスイッチングユニット（２ｄ〜２ａ）に接続され、低電圧ノード（ＮＬ)に接続されたスイッチングユニット（２ａ）に対応するダイオード（１１ａ）のアノードは所定の電源電圧を受ける。各スイッチングユニット（２ａ）は、半導体スイッチング素子（３０ａ）と、半導体スイッチング素子（３０ａ〜３０ｄ）を駆動するゲート駆動回路（２０ａ）と、対応するダイオード（１１ａ）のカソードから直流電圧を受けてゲート駆動回路（２０ａ）へ駆動電力を供給する直流／直流コンバータ（１３ａ）とを含む。 |
