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发明名称
半導体評価方法
摘要
【課題】単結晶あるいは多結晶シリコン中の炭素濃度の高感度検出方法を提供する。【解決手段】シリコンのバンドギャップ以上のエネルギービームを照射しつつ、波数100−300cm−1に生じる、炭素と水素の両方を同時に構成成分として含む複合体ドナーの光吸収スペクトルあるいは透過スペクトルを観測することを特徴とするシリコン中の炭素濃度評価方法。。【選択図】図3
申请公布号
JP2017044570(A)
申请公布日期
2017.03.02
申请号
JP20150167020
申请日期
2015.08.26
申请人
学校法人東北学院
发明人
原 明人;淡野 照義
分类号
G01N21/3563
主分类号
G01N21/3563
代理机构
代理人
主权项
地址
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