Ａｌ−Ｃｒスパッタリングターゲット

摘要

【課題】スパッタ成膜が進行した後であっても、異常放電の発生を抑制でき、Ａｌ−Ｃｒ薄膜の成膜を安定して行うことが可能なＡｌ−Ｃｒスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Ａｌ相１１からなる素地中にＣｒ相１２が分散した組織を有するＡｌ−Ｃｒスパッタリングターゲットであって、Ｃｒ相１２の周縁には、ＣｒとＡｌの拡散相１３が形成されており、組織観察において、Ｃｒ相１２の面積ＡＣと拡散相１３の面積ＡＤとの比ＡＤ／ＡＣが０．８以上とされていることを特徴とする。【選択図】図１