| 摘要 |
【課題】レジストパターン形成直後であってもケイ素系化合物を用いて構成されたハードマスク膜を高精度にパターニングすることが可能なマスクブランクの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、パターニング材料膜と、ケイ素を含有するハードマスク膜とをこの順に成膜する成膜工程と、有機ケイ素化合物を用いた処理により、前記ハードマスク膜の表面のシラノール基を化学修飾基で修飾する改質処理工程と、前記改質処理された前記ハードマスク膜上にレジスト膜を形成する工程とを有し、前記改質処理は、室温２３℃における前記ハードマスク膜の表面の水接触角が４０°以上５５°以下の範囲となるように行うマスクブランクの製造方法である。【選択図】図１ |
