Transistorelement und Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Transistorelement weist auf: ein erstes Halbleitersubstrat, auf welchem ein erster Transistorzellbereich ausgebildet ist; eine erste Gate-Elektrodenkontaktstelle, die auf dem ersten Halbleitersubstrat ausgebildet und mit einem Gate in dem ersten Transistorzellbereich verbunden ist; eine Weiterleitungselektrodenkontaktstelle, die auf dem ersten Halbleitersubstrat ausgebildet ist; und einen Gate-Widerstand, der auf dem ersten Halbleitersubstrat ausgebildet und zwischen der ersten Gate-Elektrodenkontaktstelle und der Weiterleitungselektrodenkontaktstelle angeschlossen ist.