炭化ケイ素半導体装置の製造方法

摘要

炭化ケイ素半導体の基板上に、ゲート絶縁膜として酸化膜あるいは窒化膜あるいは酸窒化膜の１層または２層以上を形成した後に熱処理を行う。ゲート絶縁膜を形成した後の熱処理は、Ｏ2を含まずＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気で所定時間行う。これにより、炭化ケイ素基板とゲート絶縁膜の界面を含む限られた領域に水素あるいは水酸基を偏析できる。水素あるいは水酸基が偏析している領域の幅は０．５ｎｍから１０ｎｍであると良い。このようにすることで、界面準位密度を低減でき、高いチャネル移動度を実現できる。