半導体装置及び半導体装置の製造方法

摘要

【課題】親水性の絶縁膜を備えた半導体装置の製造工程の簡略化を実現することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１０の製造方法の第１工程では、基板２０上に第１層間膜２２を形成する。第２工程では、第１層間膜２２上に少なくとも一対の内部電極３０を形成する。第３工程では、第１層間膜２２及び内部電極３０上に第２層間膜２４を形成し、さらに第２層間膜２４上に疎水性の第１絶縁膜２６を形成する。第４工程では、第１絶縁膜２６上に親水性の第２絶縁膜２８を形成する。第５工程では、第２層間膜２４、第１絶縁膜２６、及び第２絶縁膜２８を貫通して内部電極３０に達するトレンチ３６を形成する。第６〜第８工程では、トレンチ３６の内部からトレンチ３６の開口部周囲の第２絶縁膜２８の表面にわたって少なくとも一対の外部電極３３を形成する。【選択図】図２