| 摘要 |
【課題】酸化物半導体膜と接して形成される絶縁膜へのインジウムの拡散を抑え、また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する絶縁膜との界面特性を良好にし、安定した電気的特性を有し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】インジウムを含む酸化物半導体膜において、表面のインジウム濃度を低減させることによって、酸化物半導体膜の上に接して形成される絶縁膜へのインジウムの拡散を防ぐ。また、さらに酸化物半導体膜表面のインジウム濃度を低減させることによって、表面にインジウムを実質的に含まない層を形成することができ、この層を絶縁膜の一部とすることにより、酸化物半導体膜と、該酸化物半導体膜と接する絶縁膜との界面特性を良好にする。【選択図】図１ |
