| 摘要 |
【課題】 隣接する画素間を分離するポテンシャルバリアの微細化に伴う光電変換部の感度の低下を抑制した撮像装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 第１半導体領域となる領域が遮蔽され、第３半導体領域となる領域および第４半導体領域となる領域が開口された第１マスクを用いて第２導電型のイオン注入を行なう第１工程と、第３半導体領域となる領域および第４半導体領域となる領域の少なくとも一部が遮蔽された第２マスクを用いて、第１工程のイオン注入で、第３半導体領域となる領域および第４半導体領域となる領域に注入されて形成された不純物領域どうしが接続される領域に第１導電型のイオン注入を行なう第２工程と、を有する。【選択図】 図４ |
