Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung zur Hemmung des Rücksprungs („Snapback”) wird bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung umfasst IGBT- und Diodenbereiche. In einer Darstellung der n-Dotierstoffkonzentration entlang einer Richtung von einer vorderen Oberfläche zu einer rückseitigen Oberfläche ist ein lokaler Minimalwert der n-Dotierstoffkonzentration an einer Grenze zwischen den Kathoden- und den Pufferbereichen gelegen. Ein lokaler Maximalwert der n-Dotierstoffkonzentration ist in dem Pufferbereich angeordnet. Zumindest einer der Puffer- und der Kathodenbereiche umfasst einen Kristalldefektbereich, der Kristalldefekte mit einer höheren Konzentration aufweist, als ein Bereich um diesen herum. Ein Spitzenwert einer Kristalldefektkonzentration ist in einer Darstellung der Kristalldefektkonzentrationsverteilung entlang einer Richtung von der vorderen Oberfläche zu der rückseitigen Oberfläche in einem Bereich auf der Seite der rückseitigen Oberfläche hinsichtlich einer spezifischen Position angeordnet, die eine n-Dotierstoffkonzentration aufweist, die eine Hälfte des lokalen Maximalwertes ist.