Halbleiterkörper mit einer Anschlussleitung und ein Transistor oder eine Diode diesen umfassend sowie ein Verfahren zum Entwurf eines Halbleiterkörpers mit einer Anschlussleitung und ein Computerprogrammprodukt zum Durchführen dieses Verfahrens

摘要

Halbleiterkörper mit einer Anschlussleitung (21) zum Kontaktieren eines Halbleitergebietes (2), deren Leitfähigkeit S pro Längeneinheit sich näherungsweise linear von einem ersten Wert SW auf einen zweiten Wert S0 ändert, wobei die Anschlussleitung (21) eine erste Anzahl N, die größer als eins ist, von leitenden Schichten (M1, M2, M3, M4) umfasst, die über vertikale Kontaktstellen (23) miteinander verbunden sind, und wobei die Anschlussleitung (21) eine Parallelschaltung der leitenden Schichten (M1, M2, M3, M4) aufweist und die Leitfähigkeit S der Anschlussleitung (21) aus der Summe der Leitfähigkeiten der verschiedenen leitenden Schichten (M1, M2, M3, M4) resultiert.