| 摘要 |
第１超格子層が、第１層および第２層からなる第１単位層を複数有し、第２超格子層が、第３層および第４層からなる第２単位層を複数有し、第１層が、Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１≦１）からなり、第２層が、Ａｌｙ１Ｇａ１−ｙ１Ｎ（０≦ｙ１＜１、ｘ１＞ｙ１）からなり、第３層が、Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２Ｎ（０＜ｘ２≦１）からなり、第４層が、Ａｌｙ２Ｇａ１−ｙ２Ｎ（０≦ｙ２＜１、ｘ２＞ｙ２）からなり、第１超格子層の平均格子定数と第２超格子層の平均格子定数とが異なり、第１超格子層および第２超格子層から選択された１以上の層に、耐電圧を向上する不純物原子が、７×１０１８［atoms/cm3］を超える密度で含まれる半導体基板を提供する。 |
