半導体装置

摘要

ダイオード領域における電圧変動を抑制することができる技術を提供する。半導体装置１０２は、ダイオードとして作動するときのエミッタ電極１４８と下部ボディ領域１６６との間の抵抗値が、アノード電極１４８と下部アノード領域１６８との間の抵抗値より小さい。また、エミッタ電極１４８と第２バリア領域１１６との間における正孔の量が、アノード電極１４８と第１バリア領域１２２との間における正孔の量より少ない。