| 摘要 |
本発明は、ボイドを抑制することのできる半導体用接着剤を提供することを目的とする。本発明は、半田からなる先端部を有する突起電極がペリフェラル部及び該ペリフェラル部より内側の半導体チップ面内に形成された半導体チップを、半導体用接着剤を介して基板上に位置合わせする工程１と、前記半導体チップを半田溶融点以上の温度に加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを溶融接合させるとともに、前記半導体用接着剤を仮接着させる工程２と、前記半導体用接着剤を加圧雰囲気下で加熱してボイドを除去する工程３とを有する半導体装置の製造方法に用いられる半導体用接着剤であって、前記半導体用接着剤は、８０〜２００℃における最低溶融粘度が１０００Ｐａ・ｓ以下であり、小澤法によって求めた２６０℃で反応率４０％に達する所要時間が８秒以上である半導体用接着剤である。 |
