发明名称 半導体記憶装置、及び、半導体記憶装置の試験方法
摘要 半導体記憶装置は、データを保持する複数のメモリセルを含むメモリブロックと、同一ビットの複数のメモリセルのカラムアドレスのうちの半分の第1カラムアドレスを選択する第1選択信号、又は、残りの半分の第2カラムアドレスを選択する第2選択信号を出力する選択回路であって、複数のメモリセルに試験データを書き込むときは、第1選択信号及び第2選択信号の両方を出力し、通常データを書き込むときは、第1選択信号又は第2選択信号のいずれか一方を出力する選択回路と、メモリセルに書き込むライトデータと第1選択信号とに基づき、同一ビットの複数のメモリセルのうち、第1カラムアドレスに対応する第1メモリセルにライトデータを出力する第1ドライバと、ライトデータと第2選択信号とに基づき、第2カラムアドレスに対応する第2メモリセルにライトデータを出力する第2ドライバとを含む。
申请公布号 JPWO2015015556(A1) 申请公布日期 2017.03.02
申请号 JP20150529244 申请日期 2013.07.29
申请人 富士通株式会社 发明人 村田 誠治
分类号 G11C29/34 主分类号 G11C29/34
代理机构 代理人
主权项
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