发明名称 半導体メモリ、メモリシステム
摘要 【課題】半導体メモリへのアクセス状況に応じて、データバスの効率の改善を図る。【解決手段】実施の形態に係る半導体メモリは、データを双方向に伝送可能なコモン入出力端子と、データを入力するための入力専用端子とデータを出力するための出力専用端子とからなるセパレート入出力端子と、に切替え可能な入出力端子と、メモリセルに対する読出し又は書込みを制御するアクセスコマンド毎に入力される入出力端子設定情報に基づいて、当該アクセスコマンドに応じた前記メモリセルの読出し又は書込みのデータを前記コモン入出力端子又は前記セパレート入出力端子のいずれを用いて伝送するかを切り替える制御回路とを備える。【選択図】図1
申请公布号 JP2017045491(A) 申请公布日期 2017.03.02
申请号 JP20150166486 申请日期 2015.08.26
申请人 ルネサスエレクトロニクス株式会社 发明人 菊池 和貴
分类号 G11C11/401;G11C11/407;G11C11/4093 主分类号 G11C11/401
代理机构 代理人
主权项
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