Verfahren zum Auflöten eines Isoliersubstrats auf einen Träger

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auflöten eines Isoliersubstrats (2) auf einen Substratmontageabschnitt (32) eines Trägers (3) mittels eines vorgegebenen Lots (4). Das Isoliersubstrat (2) weist einen dielektrischen Isolationsträger (20) auf, eine Oberseite (2t), sowie eine der Oberseite (2t) entgegengesetzte Unterseite (2b). Bei dem Verfahren wird ein Isoliersubstrat (2) anhand eines Kriteriums ausgewählt, aus dem geschlossen wird, dass das Isoliersubstrat (2), wenn dieses die Solidustemperatur des Lots (4) aufweist, eine positive Unebenheit (UE2) aufweist. Das ausgewählte Isoliersubstrat (2) wird an seiner Unterseite (2b) mit dem Substratmontageabschnitt (32) verlötet, so dass sich das erstarrte Lot (4) nach dem Verlöten durchgehend von der Unterseite (2b) des Isoliersubstrats (2) bis zu dem Substratmontageabschnitt (32) erstreckt. Die Oberseite (2t) des ausgewählten Isoliersubstrats (2) wird vor oder nach dem Verlöten mit wenigstens einem Halbleiterchip (1) bestückt.