发明名称 Versorgungs-/Erdungskonfiguration für impedanzarme integrierte Schaltung
摘要 Integrierte Schaltung, mit: – einem Substrat (12); – einem auf dem Substrat (12) angebrachten Chip (11); – einem ersten, auf dem Substrat (12) angebrachten und elektrisch mit dem Chip (11) verbundenen Versorgungsanschluß (14A; 34; 54), wobei der erste Versorgungsanschluß (14A; 34; 54) einen Hauptteil (15; 35; 55) und einen ersten Vorsprung (16; 36; 56), der von dem Hauptteil (15; 35; 55) vorsteht, aufweist; und – einem ersten, auf dem Substrat (12) angebrachten und elektrisch mit dem Chip (11) verbundenen Erdungsanschluß (24A; 44; 64), wobei der erste Erdungsanschluß (24A; 44; 64) einen Hauptteil (25; 45; 65) und einen zweiten Vorsprung (26; 46; 66), der von dem Hauptteil (25; 45; 65) vorsteht, aufweist, wobei der zweite Vorsprung (26; 46; 66) an dem ersten Erdungsanschluß (24A; 44; 64) neben dem ersten Vorsprung (16; 36; 56) an dem ersten Versorgungsanschluß (14A; 34; 54) liegt, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Versorgungsanschluß (14A; 34; 54) und der erste Erdungsanschluß (24A; 44; 64) planar auf der Rückseite (13A) des Substrats (12) und der Chip (11) auf der Vorderseite (13B) des Substrats (12) angeordnet sind.
申请公布号 DE10392992(B4) 申请公布日期 2017.03.02
申请号 DE2003192992 申请日期 2003.07.25
申请人 Intel Corporation 发明人 Baldwin, Chris;Figueroa, David;Li, Yuan-Liang;Yahyaei-Moayyed, Farzaneh;Zhong, Dong;He, Jianggi
分类号 H01L23/50;H01L23/498 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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