スイッチング素子、半導体装置、半導体装置の製造方法

摘要

本発明にかかるスイッチング素子は、基板と、該基板に形成された第１ゲートパッドと、該基板に形成された第２ゲートパッドと、該基板に形成された、該第１ゲートパッドと該第２ゲートパッドを接続する第１抵抗部と、該基板に形成され、該第１ゲートパッドと接続されたセル領域と、を備えたことを特徴とする。これにより、ゲート抵抗内蔵型のスイッチング素子を完成させた後に、当該スイッチング素子のゲート抵抗値の測定とゲート抵抗の選択ができる。