| 摘要 |
半導体発光素子（１０）は、基板（１１）と、基板（１１）上に設けられ、少なくとも第１導電型半導体層（１４）と発光層（１６）と第２導電型半導体層（１８）とを有する半導体積層部（２２）とを備える。基板（１１）は、発光層（１６）からの光に対して透光性を有し、半導体積層部（２２）が設けられる第１の面（１１ａ）と、第１の面（１１ａ）とは反対側に位置する第２の面（１１ｂ）と、第１の面（１１ａ）および第２の面（１１ｂ）に直交する一対の第３の面（１１ｃ）と、第１の面（１１ａ）および第２の面（１１ｂ）に直交し、一対の第３の面（１１ｃ）とは異なる一対の第４の面（１１ｄ）とを含む六面体形状を有する。第１の面（１１ａ）は、凹部（３１Ａ）と凸部（３１Ｂ）とが交互に形成されてなる凹凸構造（３１）を有する。第３の面（１１ｃ）は、それぞれ、第２の面（１１ｂ）から第１の距離離れた位置に第１の改質層（４１）を有する。第４の面（１１ｄ）は、それぞれ、２以上の改質層（４２，４３，４４）を有する。 |
