| 摘要 |
本発明の課題の一つは、有機半導体素子のn型動作特性の改善を図ることにある。本発明の課題の中の別な課題は、ペンタセンのn型動作特性の改善を図り、ペンタセンを使用するp型動作電子素子と同等以上のn型動作特性を有する有機半導体素子並びにその素子を構成電子素子として備えたCMIS回路構成、特にCMOS回路構成を有する半導体装置を提供することである。本発明の課題解決手段の一つは、ソース電極部、ドレイン電極部、有機半導体の活性層領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極部、を備えた有機半導体素子に於いて、前記ソース電極部が多層構造を有し、前記活性層領域に接する最下層領域から最表層領域に亘って、前記活性層領域を構成する材料の仕事関数に近い仕事関数を有する材料で順に各層が構成されている有機半導体素子にある。 |
