グラフェン膜、電子透過電極及び電子放出素子

摘要

【課題】電子放出効率の高いＭＩＭ型電子放出素子を提供する。【解決手段】電子放出素子２０は、下部電極層２１、絶縁体層２２、および電子透過電極２３より構成される。電子透過電極２３は、結晶面内方向に対して交差する方向に電子を透過させるために、厚み方向部において不純物が検出されず、膜厚が０．３５ｎｍ〜０．４０ｎｍのグラフェン膜により形成される。絶縁層２２は、膜厚が５ｎｍ〜２０ｎｍとなるように形成される。【選択図】図４