| 发明名称 |
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| 摘要 |
【課題】より耐圧の高いダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板１１の表面にドレイン電極１２とソース電極１３とが形成されている。ドレイン電極１２とソース電極１３と間のダイヤモンド基板１１の表面は、水素終端されて水素化層１５とされている。水素化層１５は、アルミナのゲート絶縁膜１６で覆われており、ゲート絶縁膜１６上にゲート電極１４が形成されている。ダイヤモンド基板１０は、黒色の多結晶ダイヤモンドで作製されており、表面は研磨されて平坦化されている。【選択図】図２ |
| 申请公布号 |
JP2017045897(A) |
申请公布日期 |
2017.03.02 |
| 申请号 |
JP20150168227 |
申请日期 |
2015.08.27 |
| 申请人 |
学校法人早稲田大学 |
发明人 |
川原田 洋;モフド シャムスル ナシリク ビン サムソル バハリン;稲葉 優文;平岩 篤;山田 哲也;許 徳シン;北林 祐哉;柴田 将暢 |
| 分类号 |
H01L21/338;H01L21/20;H01L21/28;H01L21/322;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/338 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
